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研发实力

公司的技术与产品涵盖:保护器件(Protection Device)、可控硅(Thyristor)、整流二极管(Rectifier)。

在多个技术领域保持了国内领先的地位,如多层叠片技术、高结温低漏流技术、多层钝化工艺、超强抗干扰可控硅技术等。
同时利用公司多名核心技术人员在设计、制造领域的积累,为客户提供针对性的芯片产品设计和系统性的应用解决方案。

半导体类

  • 瞬态电压抑制二极管 (TVS)

    瞬态电压抑制二极管 (TVS)

    瞬态抑制二极管也称硅雪崩二极管,拥有比普通二极管更大PN结面积和更大的同流能力,广泛应用于电子元件瞬变电压防护。

    截止电压: 3.3V~600V;   峰值功率: 200~30KW   电流: 最大达30KA(8/20uS) 高结温:最高可达


  • 可控硅 (Thyristors)

    可控硅 (Thyristors)

    可控硅是常开式固态开关,能 够承受额定闭塞/断态电压直 至受触发而切换为导通状态, 可作为开关或功率调节应用。

    低漏电流:独特的保护层设计,IDRM<1uA@VDRM     ;   高结温:超高静动态能力,150ºC 高结温环境        抗干扰能力强:无缓冲设计, dv/dt > 1000V

  • 静电二极管阵列 (ESD)

    静电二极管阵列 (ESD)

    瞬态抑制二极管阵列设计用于保 护数字和模拟信号线免受静电放 电(ESD),电快速瞬变(EFT),以 及雷击引起的浪涌电流的破坏。

    结电容:最小可达0.3pF        尺寸:最小可达0.6*0.3mm        封装:多样化,集成度高 &nbsp;      功率:70~1800W(8/20uS)

  • 半导体放电管 (TSS)

    半导体放电管 (TSS)

    半导体放电管是基于可控硅工艺的半导体开关管,相对TVS管有更高的浪涌防护和更低的残压,用于各种通讯端口。

    截止电压:6V~600V   浪涌等级:2/4/6 KV   结电容值:15pF~150pF   封装:SMA、SMB、SOP8

非半导体类

  • 陶瓷气体放电管(GDT)

    陶瓷气体放电管(GDT)

    陶瓷气体放电管属于开关型过 压保护器,工作原理基于惰性 气体间隙放电,能够承受极高 的瞬态浪涌。

    电压: 75V~6KV    浪涌能力: 100KA (8/20μs)    尺寸: 2极&3极,多尺寸    电容值:0.5~25 pF    封装:轴心引线式、贴片式


  • 玻璃气体放电管(SPG)

    玻璃气体放电管(SPG)

    玻璃气体放电管兼具陶瓷气体 放电管和半导体放电管的优点, 具有浪涌能力高、体积小、反应速度快的特点。

    电压范围:140~ 4000V   浪涌电流:3KA(8/20uS)   尺寸大小:φ1.4mm~φ4.1mm   可靠性高:耐高温、耐潮湿