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研发实力

公司的技术与产品涵盖:保护器件(Protection Device)、可控硅(Thyristor)、整流二极管(Rectifier)。

在多个技术领域保持了国内领先的地位,如多层叠片技术、高结温低漏流技术、多层钝化工艺、超强抗干扰可控硅技术等。
同时利用公司多名核心技术人员在设计、制造领域的积累,为客户提供针对性的芯片产品设计和系统性的应用解决方案。

TVS技术优势

  • 瞬态抑制二极管 (TVS Devices)

    瞬态抑制二极管 (TVS Devices)

    .截止电压: 3.3V~600V;             

    .峰值功率: 200~30KW

    .电流: 最大达30KA(8/20uS)  

    .高结温:最高可达175℃

    .领先的漏电流控制和叠片工艺


可控硅技术优势

  • 快速整流二极管 (Fast Recovery Diode)

    快速整流二极管 (Fast Recovery Diode)

    ¤  超高击穿电压能力:800V / 1200

    ¤  軟回復,低Qrr 設計

    ¤  Tj(max) = 150 °C (175 under R/D)

    ¤  使用外延片工艺,电压一致性佳

    ¤  鉑金Life time killer工艺


  • 放电管/触发管 (TSS/SIDAC Devices)

    放电管/触发管 (TSS/SIDAC Devices)

    ¤  5寸片成本更具优势

    ¤  低电容设计(TSS <35pf)

    ¤  稳定抗浪涌能力

    ¤  稳定的工艺/设备

    ¤  镀镍工艺/蒸镀鋁,银可供选择,产品应用广


  • ESD/TVS可控硅 (ESD/TVS TRIAC)

    ESD/TVS可控硅 (ESD/TVS TRIAC)

    ¤  带有ESD保护功能的可控硅芯片

    ¤  承受ESD> 2 KV能力(IEC 61000-4-5)

    ¤  兼具 150度高结温

    ¤  动态能力/电流换向高

    ¤  减少电路空间使用成本